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[보도자료]POSTECH 대학원생, 3차원나노소자 대량생산 ‘길 열었다’

2007-06-133,666

                POSTECH 박사과정 홍영준씨, 국제 학술대회서 ‘젊은 과학자상’ 수상

포스텍(포항공과대학교, POSTECH) 대학원생이 기존 공정을 활용하면서도 3차원 나노소자의 집적화를 위한 기술을 개발해 국제학술대회에서 ‘젊은 과학자상(Young Scientist Award)’을 수상했다.

포스텍 신소재공학과 박사과정에 재학 중인 홍영준(洪瑛晙ㆍ28세, 지도교수: 이규철 신소재공학과 교수)씨는 3차원 나노집적소자에 응용가능하리라 기대되는 반도체 나노막대를 실리콘 기판의 ‘원하는 위치’에 ‘수직으로’ 선택성장할 수 있는 기술과 원리를 개발, 최근 프랑스 스트라스부르(Strasbourg)에서 열린 ‘2007 유럽 재료공학연구학회(2007 E-MRSㆍEuropean Materials Science Research Society)  춘계 세미나’를 통해 발표했다.

홍씨는 이 자리에서 ‘질화갈륨 마이크로패턴을 이용한 실리콘 기판에서의 비촉매 산화아연 나노막대의 위치조절 선택성장 (Position-controlled selective growth of ZnO nanorods on Si substrates using facet-controlled GaN micropatterns)’이란 논문을 통해 나노막대를 질화갈륨 마이크로패턴을 이용해 실리콘 기판에 원하는 위치로 선택 성장하는 기술을 공개했다.

이 기술을 활용하면 대량 제작 공정에도 적용할 수 있어 3차원 나노소자의 집적화에 도움이 되어 소자의 집적도를 크게 높일 수 있으리라 기대되어 하나의 칩에 더 많은 소자를 넣을 수 있을 것이라고 홍영준씨는 설명했다.

지금까지는 3차원 나노소자에 쓰이는 나노막대를 ‘원하는 위치’에 ‘수직으로’ 성장시키는 방법이 매우 어려워 전 세계적으로도 이 기술을 가지고 있는 연구그룹이 두세 그룹에 불과하고, 특히 실리콘 기판 위에 성장시킨 사례는 거의 없었다. 한편, 촉매를 사용하지 않는 ‘비촉매 유기금속 화학기상증착법’을 이용, 순도가 높고 광학적 특성이 매우 우수한 ‘단결정 산화아연 나노막대’를 실리콘 기판 위에 원하는 위치에 수직 성장시킴으로서 우수한 품질의 반도체 소자를 3차원으로 제조할 수 있는 기술을 개발하였다는 데 의의가 있다.

유럽 재료공학연구학회 세미나는 2000여명의 관련 학자들이 참석해 700명 이상이 논문을 발표하는 권위적인 행사로 홍 씨가 수상한 ‘젊은 과학자 상’은 18개 분과에서 발표된 논문 중 가장 우수한 논문을 발표한 18명에게 수여된다.